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39寸透明EMI/RFI電磁屛蔽膜

電磁波屏蔽膜也叫EMI(ElectroMagnetic Interference-電磁干擾)保護膜或吸波材料。

目前用作 RFI(RF Interference-射頻干擾)屏蔽的材料范圍包括導(dǎo)電金屬氧化物、金屬網(wǎng)和納米線等材料。

我司EMI/RFI屏蔽膜主要是銅材蝕刻加工后,通過壓合于膜材上,主要是對產(chǎn)品內(nèi)部線路起到減弱或消除電磁干擾/射頻干擾的作用。

具有優(yōu)良的電磁波屏蔽性能的柔性、薄、輕量的電磁波屏蔽膜,用于防止周圍環(huán)境中的醫(yī)療器械、船舶、飛機等精密設(shè)備發(fā)生故障。

EMI/RFI屏蔽膜提供有效的電磁屏蔽和最佳的透明度(可見光透射率 >80%)。

EMI/RFI屏蔽膜上包含的銅網(wǎng)為 ITO 屏蔽提供了很好的替代品(更好的電阻和導(dǎo)電性)。事實上,ITO 技術(shù)是基于具有非常薄層的支撐金屬化。該技術(shù)提供較低的電導(dǎo)率、較低的透明度和較高的氧化風(fēng)險。這就是為什么我們更愿意提出這種基于 Cu Mesh 原理的 EMI 屏蔽膜。

優(yōu)異的性能

技術(shù)參數(shù)

測試項目 單位 產(chǎn)品特性 檢驗方法 備注
產(chǎn)品型號 / CNE******EMI-V*.* / /
迭構(gòu) 上保護層 μm 50 千分尺 PE
銅網(wǎng)格層 μm 2 千分尺 表面黑化
基材 μm 100 千分尺 PET
下保護層 μm 50 千分尺 PET
網(wǎng)格圖案 / 45°斜正方形 / /
線距 μm 200 二次元 2X
線寬 μm 9±3 二次元 2X
透過率 % >80% 分光測色儀 550nm
面電阻 Ω/□ 0.2~0.4Ω 四點探頭 /
銅與基材附著力 / 5B 百格刀測試 ?/
可靠性 高溫高濕電阻變化率 % ≤10 恒溫恒濕實驗箱 溫度85℃,濕度85℃,500H
高溫高濕透過率變化率 % ≤10
高溫高濕電阻變化率 % ≤10 紫外老化箱 光源UVA-340,
輻照強度:0.89W/m2@320nm,
黑標(biāo)溫度:(70±2)℃,
輻照模式:全時間段照射
高溫高濕電阻變化率 % ≤10

電性測試圖示

迭構(gòu)方式

產(chǎn)品由上保護膜(PE)+?黑化層 + 銅網(wǎng)格層 + 基材(PET)+ 下保護層(PET)組合而成。

應(yīng)用范圍

◆ 醫(yī)院(核磁共振、肌電圖和腦電圖設(shè)備的屏蔽);
◆?工業(yè)開發(fā)實驗室的屏蔽;
◆?計算機的數(shù)據(jù)安全;
◆?行政房間的屏蔽(防止通過麥克風(fēng)或建筑物外的電子竊聽器進行間諜活動);
◆ 屏蔽雜散電磁輻射;
◆?消費類電子產(chǎn)品(智能手機、平板電腦、觸控面板、數(shù)碼相機、液晶電視等)的電子信號屏蔽。

優(yōu)良的物理特性

高低溫測試

可達到-85℃到+85℃,極點環(huán)境下可正常使用;
環(huán)境測試:-80℃、100℃(沸水)、-235℃情況下測試產(chǎn)品功能正常。

循環(huán)彎曲測試
彎曲度數(shù):從0~ 90~180度(循環(huán)彎曲),彎曲直徑:4mm,8mm。

循環(huán)折疊測試
當(dāng)彎曲直徑為≦4mm時,彎曲角度從20度到180度循環(huán)折疊下能正常使用。

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