投射電容式觸摸屏技術(shù)的技術(shù)原理依舊還是以電容感應(yīng)為主，基本上仍是表面電容式觸 摸屏的延伸。在技術(shù)上是利用經(jīng)嚴(yán)謹(jǐn)設(shè)計(jì)一個(gè)或多個(gè)蝕刻后的銦錫氧化物模板，增加數(shù)組 (組數(shù)愈多，檢測(cè)精度與豐富度相對(duì)愈高)存在不同平面、同時(shí)又相互垂直的透明導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成 類(lèi)似X、F軸驅(qū)動(dòng)線(xiàn)。

 

 

而這些導(dǎo)線(xiàn)都是由電容檢測(cè)芯片控制，當(dāng)電流經(jīng)驅(qū)動(dòng)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)其中的導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，與檢測(cè)電容 值變化的導(dǎo)線(xiàn)相通，控制芯片依序輪流檢測(cè)電容值變化數(shù)據(jù)輸人至主控制器，確認(rèn)觸點(diǎn)位置 后，由于透明導(dǎo)線(xiàn)在面板形成三維電場(chǎng)，因此觸點(diǎn)的近測(cè)感應(yīng)不需觸按屏幕即可發(fā)生，甚至 此技術(shù)可以做到Z軸檢測(cè)分辨應(yīng)用。

投射電容式觸摸屏若用較簡(jiǎn)單的說(shuō)法，可以說(shuō)是根據(jù)屏幕表面的X、F軸電極信號(hào)分布 改變狀態(tài)，進(jìn)而計(jì)算出屏幕表面實(shí)際觸摸點(diǎn)的交叉幾何坐標(biāo)，目前此技術(shù)已可在5mm厚的 面板達(dá)到1024 x 1024觸摸點(diǎn)檢測(cè)分辨率。

在觸摸屏中，ITO是以平面導(dǎo)體的形式存在，每一個(gè)方塊區(qū)域?qū)?yīng)著同樣的阻抗。根據(jù) 這一原則，推薦使用菱形的感應(yīng)單元，因?yàn)檫B接這些菱形的導(dǎo)線(xiàn)可以用最少的方塊區(qū)域 (少于等于2個(gè))拼接而成。

投射電容式觸摸屏也是在玻璃表面用ITO制作橫向電極與縱向電極，它與表面電容式觸 摸屏的區(qū)別在于：兩組電極交叉的地方將會(huì)形成電容，也即這兩組電極分別構(gòu)成了電容的兩 極。當(dāng)手指觸摸到電容式觸摸屏?xí)r，影響了觸摸點(diǎn)附近兩個(gè)電極之間的耦合，從而改變了這 兩個(gè)電極之間的電容量。檢測(cè)互電容大小時(shí)，橫向的電極依次發(fā)出激勵(lì)信號(hào)，縱向的所有電 極同時(shí)接收信號(hào)，這樣可以得到所有橫向和縱向電極交匯點(diǎn)的電容值大小，即整個(gè)觸摸屏的 二維平面電容大小。根據(jù)觸摸屏二維電容變化量數(shù)據(jù)，可以計(jì)算出每一個(gè)觸摸點(diǎn)的坐標(biāo)。因 此，觸摸屏上即使有多個(gè)觸摸點(diǎn)，也能計(jì)算出每個(gè)觸摸點(diǎn)的真實(shí)坐標(biāo)。

蘋(píng)果公司的iPhone讓觸摸屏產(chǎn)業(yè)重新被重視，以往觸摸屏技術(shù)多以4線(xiàn)電阻式觸摸屏 為主，而iPhone采用投射電容式觸摸屏，讓觸摸行為檢測(cè)更細(xì)致，由于具有近場(chǎng)檢測(cè)與較 高的靈敏度，亦可避免刮損及屏幕破裂問(wèn)題。

投射電容式觸摸屏擁有支持多點(diǎn)觸摸優(yōu)勢(shì)，只需指腹輕觸無(wú)需使用觸摸筆，擁有更高屏 幕透光率，整體功耗將更省電，增加使用壽命且無(wú)需校正等優(yōu)點(diǎn)。